现在的10C工艺，依旧是目前量产工艺里的顶级工艺，当然，已经无法大幅度领先对手了。
因为四星半导体，镁光，海力士都已经陆续追上来并拥有了该级别工艺……他们的同级别工艺有好有坏，但是整体处于同一级别，区别不是很大。
现在，智云微电子在内存工艺领域里，已经是全力朝着更先进的10D工艺冲击，其工艺节点为12纳米。
智云微电子的内存芯片的工艺划分，早期是采用30纳米，25纳米，20纳米！
后来进入十纳米工艺时代后，第一代采用10A工艺，实际工艺节点为18纳米。
第二代10B工艺，实际工艺节点为16纳米。
第三代10C工艺，实际工艺节点为14纳米……这一代工艺开始，智云微电子开始采用EUV光刻机制造内存芯片的部分核心工序。
而第四代的10D工艺，实际工艺节点为12纳米……
这个10D工艺的技术水平是非常高的，属于目前世界上技术最先进的内存芯片工艺，没有之一，哪怕是四星半导体想要追上来都困难的很。
而且这种工艺对先进设备的要求也非常高，10D的很多工序里，已经需要大规模使用最先进的HEUV-300C光刻机了。
之前的10C工艺节点里，可用不着这种顶级家伙，用的还是HEUV-300B光刻机，并且也只是在少量的核心工序里使用。
而10D工艺，则是需要更先进的HEUV-300C光刻机，并且应用工序更多……这意味着性能更优秀，但是制造成本也更高。
主要是HEUV-300C光刻机贵……这种光刻机是目前海湾科技旗下，也是全球范围内性能最顶级的量产型号光刻机，其1.5纳米的套刻精度能够轻松用于制造等效五纳米/七纳米工艺的芯片……这款光刻机，乃是智云微电子里现在以及未来用于大规模制造EUV单次曝光工艺的主力光刻机。
至于更老旧的HEUV-300B，虽然光刻性能达标，但是生产效率不太行，每小时产能只有一百二十片，现在都已经停产了……有了更先进的HEUV-300C，海湾科技都不愿意继续生产HEUV-300B了。
这也和海湾科技自己的策略有关，因为EUV的镜片组产能有限，一年在只能生产这么点EUV光刻机的情况下，他们更倾向于客户采购最先进，价格更高，利润更高的产品。
而不是用宝贵的EUV镜片组
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