介电材料的研发没有跟上的话，会造成严重的漏电流问题。
该问题导致采用先进制程，功耗不但没有降低，反而还增加了。”
后来很多厂商在从0.13微米进入90nm的时候都遇到了类似的问题，超低K值介电材料导致的漏电问题，以至于英特尔直接跳过了90nm节点，进入到了0.65nm的节点。
中村末广也正是因为这一失误，而被边缘化了，然后没有多久被发配到以他名字命名的中村研究所了。
正是因为索尼PSP芯片的漏电问题，导致首批PSP芯片明明能跑到333MHz，但是受限于漏电问题，导致最高只能跑到222MHz。
当时索尼甚至专门发布了公告：2006年3月前生产的PSP，CPU跑在222MHz，2006年3月后生产的，CPU可以跑在366MHz，用户可以自行选择。
中村末广眼睛眯了起来：“关桑，新芯在移动芯片领域的造诣深厚，你们的A1E芯片已经把130nm制程发挥到了极限，甚至比我们通过90nm制程设计的芯片性能还要更好。
我们的研发部门一直想绕开新芯的专利都没办法做到，我很相信新芯科技在这一领域的实力，但是新芯科技目前用过最先进的制程应该就只有130nm吧？
目前市面上还没有芯片代工厂商开始大规模推90nm制程的芯片，我们的芯片也才在索尼和东芝共建的晶圆厂少量生产。
你们怎么知道存在这种问题的？”
中村很谨慎，大家关系好归关系好，他也不希望看到索尼被新芯科技渗透的和筛子一样。
关建英说：“因为我们即将推出的第二代Mphone也将采用90nm的工艺，离第一代Mphone已经过去两年时间了，Matrix之所以没有发布新一代Mphone，很大一部分原因是因为芯片性能还没有实现突破。
我们在和IBM、德州仪器、三星这些芯片生产厂商合作的时候，新芯科技的A2系列芯片在流片的时候普遍发现超低K值介电材料会存在漏电流的问题。
所以之前你一和我们说索尼新一代掌机要采取最先进的芯片技术，我就猜到了你们同样会面临这一问题。”
中村心想，原来是我泄露的吗？我只是说了这么含糊的一句，关桑就推测出了这么多东西？
他内心不由得一阵佩服，然后连忙问：“新芯科技遇到了同样的问题，看来关桑是想到了解决方法？”
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